2024FMW | 致真存储将分享新一代磁随机存储器SOT-MRAM研发

2024年8月28日,DOIT传媒将在南京金陵饭店举办以“芯存储 AI未来”为主题的2024全球闪存峰会,汇集全球闪存存储领域的顶尖企业代表与专家学者,深入探讨

2024年8月28日,DOIT传媒将在南京金陵饭店举办以“芯存储 AI未来”为主题的2024全球闪存峰会,汇集全球闪存存储领域的顶尖企业代表与专家学者,深入探讨闪存技术的最新发展趋势,推动闪存市场的持续创新和进步。

在下午的AI存储及企业级SSD技术论坛上,致真存储CTO刘宏喜将发表主题演讲《新一代磁随机存储器SOT-MRAM研发及其在AI领域的应用》,分享致真存储在SOT-MRAM技术研发中的最新进展。SOT-MRAM作为新一代非易失性存储器,具有高速度、低功耗、无限次写入等特性,正逐渐成为存储技术发展的重要方向。

相比传统的存储器技术,SOT-MRAM不仅能提供更高的性能,还能在数据处理和存储方面实现更好的能效比,特别适合于对存储速度和耐久性有高要求的应用场景。

刘宏喜先生是IEEE资深会员,青年科技领军人才,同时担任双一流高校的兼职博导。他在磁存储领域拥有丰富的研究经验,致力于推动新一代磁存储技术的研发与产品化。

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